DRAM

一、

• 存储密度高

• 集成度高

• 引脚少
  -

• 功耗小

• 价格低

• 速度慢

• 用作主存储器

• 电容

• 刷新：读出的过程破坏了电容上的存储信息，所以要把信息重新写入

二、逻辑结构

• 行选通信号RAS非：行地址锁存器
• 列选通信号CAS非：列地址锁存器
  

三、刷新操作

• 刷新计数器（刷新行地址发生器）
• 将一行存储元同时刷新
• 集中式刷新策略：前一段时间进行正常的读写操作；后一段时间作为集中刷新操作时间（存在死时间）
• 分散式刷新策略